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本发明涉及一种槽栅中具有空穴通路的屏蔽栅沟槽IGBT结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明基于SGTIGBT器件的宽槽结构，在宽槽中的屏蔽栅极上层设置两个左右对称的控制栅极，同时屏蔽栅极会在两栅极之间引出，并与器件的发射极相连，从而形成空穴通路。在器件处于开态时，空穴通路被夹断使屏蔽栅极浮空，漂移区可以积累大量的载流子，从而降低器件的导通压降；在器件处于关态时，空穴通路使屏蔽栅极和金属发射极相连，实现屏蔽栅极对栅极和集电极之间的屏蔽作用，优化了器件的开关特性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113421921 A
(43)申请公布日 2021.09.21
(21)申请号 202110706932.8 H01L 29/423 (2006.01)
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