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- 2023-06-22 发布于四川
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实施方式的半导体存储装置具备：半导体衬底，具备第1面及第2面；第1电极及第2电极，设置在半导体衬底的第1面侧；第3电极及第4电极，设置在半导体衬底的第2面侧；第1贯通电极，沿第1方向延伸且连接于第1电极及第3电极；第2贯通电极，沿第1方向延伸且连接于第2电极及第4电极；以及第1绝缘层，设置在半导体衬底与第1贯通电极之间及半导体衬底与第2贯通电极之间。另外，第1绝缘层具备：第1部分，设置在半导体衬底与第1贯通电极之间；以及第2部分，设置在半导体衬底与第2贯通电极之间。进而，半导体衬底在第2面侧设置
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113394196 A
(43)申请公布日 2021.09.14
(21)申请号 202110204196.6 G11C 16/24 (2006.01)
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