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本发明属于射频电路技术领域，具体提供一种全NMOS晶体管的开关式低附加相移的数字步进式衰减器，在传统数控步进式衰减器(DSA)结构基础上，针对桥T/T/π型衰减单元中串联支路上的电阻、利用压控NMOS晶体管的导通电阻代替，针对桥T/T/π型衰减单元中并联支路上的电阻与电容、利用压控NMOS晶体管的导通电阻与固有源漏寄生电容代替代替，进而实现全NMOS晶体管结构的桥T/T/π型衰减单元设计，有效避免了传统结构中电阻与电容引入的诸多问题，且大大的简化了电路结构、节省了芯片面积；同时，压控NMOS晶体
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113437948 B
(45)授权公告日 2023.04.07
(21)申请号 202110640786.3 (56)对比文件
(22)申请日 2021.06.09
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