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一种Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量方法,属于半导体器件测试领域。技术方案:搭建温度曲线标定平台,通过外部供热的方法,标定器件温度曲线,测定未知结温下的温敏参数,计算器件结温Tj。有益效果:本发明所述的Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量方法通过在Cascode结构GaN电力电子器件关态条件下,在器件源漏两端施加两次大小不同的偏置电流,测量偏置电压值,进而得到温敏电参数,该参数仅与两次不同的测试电流和测得的偏置电压有关,排除了测试回路中与SiMOSFET体二极
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113533922 B
(45)授权公告日 2022.06.14
(21)申请号 202110632887.6 (56)对比文件
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