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本申请提供了一种半导体结构制备方法，该方法包括：提供衬底；在衬底表面形成初始氮化钛薄膜；为初始氮化钛薄膜提供第一能量场，以增加初始氮化钛薄膜能量；当初始氮化钛薄膜的能量大于或等于第一预设阈值时，则向放置衬底的反应腔室通入氢气或氢等离子体作为催化剂，以使初始氮化钛薄膜的分子晶粒融合形成最终氮化钛薄膜。由于在第一能量场以及氢的作用下，初始氮化钛薄膜中的分子晶粒进行融合，从而使分子晶粒变大，降低制备的最终氮化钛薄膜的电阻率，提高了氮化钛薄膜的质量。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116313744 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202211724899.2
(22)申请日 2022.12.27
(71)申请人 武汉楚兴技术有限公司
地址 43
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