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二氧化硅等离子刻蚀代加工 离子刻蚀代加工(ion beam deposition)，又称离子雾运移技术，是一种将溅射技 术应用于小型电子元件制作的一种先进技术，也称为离子溅射运移技术。其特征是 在背景气体中将离子雾运移到器件表面，形成均匀的薄膜结构或元件，可以将器件 表面的表面金属层添加以及聚合物的附着物的形成。 一、离子刻蚀代加工的特点 1.精密的尺寸分辨率：离子刻蚀代加工技术拥有高达几十纳米的分辨率，足以 满足大多数小型电子元件的制造要求。 2. 高效率：相比于常规制程，离子刻蚀代加工具有显著加速和缩小设计所需工 艺时间的功能。 3.单步制备：由于离子刻蚀代加工的时间要比传统的制造技术快得多，所以将 多个工序合并为一个可以为客户节省不少成本。 4. 高精度：离子溅射技术的精度是很难通过常规的尺寸制程来实现的。 5.无损过程：该技术可以在完全无损的情况下改变尺寸，形状，体积等。 二、离子刻蚀代加工的常用应用 1.芯片封装 离子刻蚀代加工技术可以应用于电子元件封装，开发了比传统钢炉烧结技术更小， 更精细的元器件。通过该装备，可以在非金属表面上形成较薄的层及在表面添加金 属、化合物等，以改善元器件的性能和耐久性。 2. 晶圆制备 离子溅射装备可以用于半导体晶体的制备，主要是将金属原子和其它元素以不同的 方式引入晶体结构中。例如，磷酸化硅可用来形成门槛电位，以改善晶体的迁移率。 3.二氧化硅制备 二氧化硅是一种广泛应用的半导体材料，用于制造芯片、太阳能电池、显示器、传 感器等电子器件。离子刻蚀代加工技术可以在这种材料上进行制备，它可以提供更 好的分辨率，更快的时间和更好的控制能力，也可以提高气固界面的亲合性。