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本发明公开了一种全双工可见光通信系统及其制备方法，涉及光通信领域，该通信系统包括：本体划分为发射区、直波导区和光电探测区；发射区内的本体的顶部生长第一AlGaN势垒层；第一AlGaN势垒层上生长第一p型GaN层、源极和栅极；第一p型GaN层上生长薄膜层和漏极；光电探测区的本体的顶部生长第二AlGaN势垒层；第二AlGaN势垒层上生长第二p型GaN层和阴极；第二p型GaN层上生长阳极。本发明在驱动晶体管的漏极嵌入包括p型GaN层的Micro‑LED，实现了驱动晶体管与Micro‑LED单片的集成，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116314236 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202310063928.3 H01L 21/335 (2006.01)
(22)申请日 2023.01
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