SiC MOSFET SPICE模型的建立与仿真分析.pdfVIP

宠辱不惊，看庭前花开花落；去留无意，望天上云卷云舒。——《洪应明》 SiC MOSFET SPICE 模型的建立与仿真分析 叶雪荣;张开新;翟国富;丁新 【摘要】SiC MOSFET 与 Si MOSFET 相比,具有耐高压、耐高温、频率快等诸多 优点,得到了越来越广泛的应用。SPICE 模型作为含 SiC MOSFET 电路仿真分析的 基础,对其进行研究十分必要。以 SPICE 1 模型为例,介绍了基于 LTspice 的 SiC MOSFET 建模流程,通过 MOS、体二极管、PCB 寄生参数等建模过程,完成了 SiC MOSFET SPICE 1 模型的建立,并通过仿真分析验证了所建立模型的正确性。 【期刊名称】《电器与能效管理技术》 【年(卷),期】2019(000)003 【总页数】6 页(P25-29) 【关键词】SiC MOSFET;SPICE 1 模型;仿真;LTspice 【作者】叶雪荣;张开新;翟国富;丁新 【作者单位】[1]哈尔滨工业大学电器与电子可靠性研究所,黑龙江哈尔滨 150001;[1]哈尔滨工业大学电器与电子可靠性研究所,黑龙江哈尔滨 150001;[1]哈 尔滨工业大学电器与电子可靠性研究所,黑龙江哈尔滨 150001;[2]航天安通电子科 技有限公司,天津 300384; 【正文语种】中 文 【中图分类】TM46 0 引 言 其身正，不令而行；其身不正，虽令不从。——《论语》 人人好公，则天下太平；人人营私，则天下大乱。——刘鹗 作为电力电子变换装置系统的核心组件、电力电子变换技术的基础,半导体技术的 发展一直是推动电力电子技术发展的关键[1]。随着 SiC 材料的发展,其在高压[2-3]、 高温[4-5]、大功率[6]、高频[7-8]等应用场合下具有明显的优势,越来越受到研究 者的青睐。 国内外学者对于 SiC MOSFET 建模的方法做了大量研究。国外学者对于模型的研 究主要分为物理建模和等效电路建模,如文献[9]基于 SiC 器件的物理特性、物理结 构提出一种模型,但其不适用于工程中的应用和分析。部分文献通过改进传统的 Si MOSFET 模型进行建模,文献[10]提出了一种变温度参数建模方法,非常适用于高压 SiC MOSFET。此方法对 SiC MOSFET 的建模具有一定的指导意义,已得到业界普 遍的认可。但对于 SiC 模块的建模和应用研究甚少,只有少量通过简单的行为模型 对其进行仿真,并在双脉冲试验台上比较 SiC 模块和 Si IGBT 的动态特性[11]。试验 结果表明,SiC 器件具有更高的开关频率和更低的开关损耗。 国内清华大学的孙凯等[13]在文献[12]的基础上改进了 SiC MOSFET 的变温度参 数模型,弥补了原模型不适用于低温环境、温控电压源不精确以及没有考虑负压影 响等缺点。但这只是对模型外部进行补偿,并没有深入器件的核心部分。华北电力 大学的徐国林等[14]通过对物理及行为模型的大量调研,以 SiC MOSFET CMF2012D 为例,通过 SPICE 模型对 SiC MOSFET 模型进行了完善,在 Pspice 电 路中建立了 SiC MOSFET 的等效电路模型。东南大学的李玲 [15]在进行 SiC MOSFET 器件动态参数测试系统设计中提出用 Saber 中自带的建模软件进行快速 建模的方法。 虽然国内外学者提出了许多 SiC MOSFET 模型,但大多数模型很少考虑电路中的寄 生参数,且所建立模型方法复杂 ,很难将建模方法推广。此外,模型只能应用于一种软 件,适用范围小。 本文针对 SiC MOSFET 建模存在的问题,应用 Saber 自带的 Model Architect 建模 吾日三省乎吾身。为人谋而不忠乎？与朋友交而不信乎？传不习乎？——《论语》 常将