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习题
3.10
电力电子器件一般工作在开关状态,通常情况下,电力电子器件功率损耗为 当器件开关频率较高时,功率损耗主要为开关损耗 。
2.二极管英文名字缩写(TVS),二极管电气符号为 。
3.电力二极管主要类型: 、 、 。
3.13
1.晶闸管英文名字缩写为: 。
2.同一晶闸管维持电流IH与掣住电流Il在数值大小上有Il IH。
3.晶闸管基本工作特性的概括为 正向触发刚导通,反向截止 。
3.20
1.晶闸管: 。门极自关断晶闸管: 。电力晶闸管 。
2.GTO的多元集成 ,多元集成 ,多元的功率集成结构是为了便于实现萌及控制关断而设计。
3.功率晶体管GTR从高压小电流向低电压大电流跃变现象: 。
4.GTR共发射极接法时输出特性中的三个区域: , , 。
5.GTR电气符号中:b是 极。c是 极。e是 极。
3.27
1.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR的共发射极接法时输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者截至区对应后者 ,前者饱和区对应后者 ,前者非饱和区对应后者 。
2.电力MOSFET的电气符号中,G是 极,D 极,S 极。
3.电力MOSFET通态电阻具有 温度系数。
4.晶闸管 ;门级的关断晶闸管: ;电力晶体管: ;绝缘栅双型晶体管: 。电力场效应管晶体管 。
4.3
1.在如下电力电子器件中SCR,GTO,IGBT, MOSFET中,按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电情况,属于双极型器件是 ;属于单极型器件 ;属于复合型器件的是 ;属于电压驱动的是 ;电流驱动型全控器件 。
2.晶闸管的电气图形符号: 。
3.门级的关断晶闸管电气图形符: 。
4.电气晶体管电气图形符号: 。
5.电力场效应晶体管电器图形符号: 。
6.绝缘栅双极型晶体管电气图形符号: 。
7.如图中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,电流最大值为Im,试计算波形的电流平均值Id与电流有效值IL,如果考虑安全裕量为a。应选择额定电流为多大的晶闸管?
1.单项桥式全控整流电路,带电阻负载时,其a角的移相范围: 带阻感负载 时,a角的移相范围: 。
2.电阻负载的特点是: ,在单相半波的控整流电阻性电路中晶闸管控制角a的最大移相范围是:
3.阻感负载的特点是:流过电感的电流不能发生突变,在单相半波的控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制的角a的最大移相范围: ,其承受的最大正反向电压均为: 。
4.在单相半波的控整流带阻感负载并联续流二极管电路中,晶闸管承受的最大正反向电压: 。
5.单项桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,单个晶闸管所承受的最大正向电压: 。
6.单项桥式全控整流电路中,带阻感负载时,单个晶闸管所承受的最大正向电压: 。
1.三相桥式全控整流电路,带电阻负载时其a角移相范围 ,带阻感负载 时,其a角移相范围 。
2.从输入输出上看,单相桥式全控整流电路的波形与 的波形基本相同。只是后者适用于 输出电压的场合。
3.对于三相半波可控制整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值 。
4.电阻性负载三相半波的可控整流电路中,晶闸管控制角a的最大移相范围 ,使负载电流连续的条件为 。
5.三相半波的控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按次序依次差 。当他带阻感负载时,a移相范围是 。
4.17
1.单项桥式全整流电路中,电阻负载时,晶闸管移相范围: ,电感负载时晶闸管移相范围 ,三相桥式全控整流电路中,电阻负载移相范围 ,电感负
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教师资格证持证人
专注本科毕业文章分享,着重关注锂离子电池、钠离子电池发展,参与指导大学生创新创业竞赛,研究高中化学、数学教与学。
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