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- 2023-06-28 发布于四川
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本发明涉及一种集成RC吸收结构的MOSFET器件及制作方法，包括若干个相互并联的器件元胞单元，器件元胞单元包括第一导电类型衬底及第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区内设有绝缘深沟槽，绝缘深沟槽内填充有沟槽绝缘介质，沟槽绝缘介质上设有源极导电多晶硅，源极导电多晶硅表面被绝缘介质包裹，绝缘介质上设有源极电阻，源极电阻被源极金属包裹，且与源极金属欧姆接触。本发明在器件的源极和漏极间设置RC吸收结构，使得MOS管在高频开关过程中，能抵抗高浪涌电流，同时能吸收器件开关过程中的电压震荡，提高电压震荡dVd
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113659010 B
(45)授权公告日 2022.07.12
(21)申请号 202111054711.3 H01L 23/552 (2006.01)
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