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微电子课程设计 代淋 PAGE 1 重庆大学本科生专业 课程设计报告书 实验课程名称： 微电子课程设计 实验指导教师： 胡盛东 学 院： 通信工程 专 业： 集成电路设计与集成系统 学 号：姓 名： 代淋 实验日期： 2013年12月 重庆大学本科学生课程设计指导教师评定成绩表 学 号学生姓名 代淋 学 院 通信工程学院 专 业 集成电路设计与集成系统 指导教师 胡盛东 课程设计 题目 60V级功率Trench MOS混合模拟设计 指 导 教 师 评 语 课程设计 成绩 指导教师签名： 年 月 日 说明：1、学院、专业、年级均填全称。 2、本表除评语、成绩和签名外均可采用计算机打印。 重庆大学本科学生课程设计任务书 课程设计题目 60V级功率Trench MOS混合模拟设计 学院 通信工程学院 专业 集成电路设计与集成系统 年级 2011级 设计要求： 1.基本要求： 1).学习和研究主流功率MOS器件的结构和工作原理； 2).学习器件模拟软件MEDICI对微电子器件结构进行设计和优化； 3).学习IC工艺模拟软件TSUPREM4对微电子器件（包括IC）进行设计和优化； 4).学习微电子器件的器件工艺联合模拟。 2.提高要求： 1).利用MEDICI和TSUPREM4对电学特性具有特定要求的微电子器件进行参数优化和分析； 2).在MEDICI器件模拟的基础上，能正确设计指定结构微电子器件的工艺流程，并利用TSUPREM4进行工艺参数优化。 学生应完成的工作： 通过设计实践，进一步熟悉和掌握《半导体物理》、《微电子器件》以及《集成电路工艺原理》课程所设计的基础知识；熟悉常用的微电子器件-功率器件的结构和工作原理；系统学习并掌握器件模拟软件MEDICI和IC工艺模拟软件TSUPREM4设计工具的使用，并利用其对指定指标的微电子器件进行结构和工艺流程模拟及优化。 设计60V级以上、VT为1-2V范围内、 half-Cell的Ron(@Vgs=10V ,Vds=1V)约为1e5Ω以下的沟槽栅VDMOS结构。要求：1).给出主要关键器件结构参数如栅氧厚度，沟道浓度、漂移区浓度及厚度等以及工艺参数和条件；2).规范的数据整理，体现优化的过程；3）完成设计报告。 参考资料： [1]陈星弼，张庆中。晶体管原理与设计，北京：电子工业出版社，2006 [2]关旭东。硅集成电路工艺基础，北京：北京大学出版社，2003 [3]刘恩科，朱秉生，罗晋生。半导体物理学，北京：电子工业出版社，2008 [4] TMA MEDICI 4.2. Palo Alto CA: Technology Modeling Associates Inc. [5] TSUPREM-4 Version 2001.2 User’s Manual：Palo Alto CA: Technology Modeling Associates Inc. 课程设计工作计划： 第一阶段：MEDICI器件模拟，并实现基本功能，熟悉程序设计； 第二阶段：MEDICI器件具体参数的优化，实现提高要求； 第三阶段：TSUPREM4工艺模拟，设计工艺流程，熟悉程序设计； 第四阶段：TSUPREM4工艺模拟，优化工艺流程及工艺参数，实现提高要求； 第五阶段：器件参数的进一步设计、调试、优化。 任务下达日期 2013年 12 月 22 日 完成日期 2013 年 12 月 27 日 指导教师 （签名） 学生 代淋 （签名） 目录 TOC \o 1-3 \h \z \u 一 课程设计引言 5 二 实验总体要求 6 基本要求： 6 提高要求： 6 三 实验目的 6 四 实验环境 7 五 实验原理及过程 7 （一）简单原理 8 (二) 实验步骤 8 六 试验总结与分析 27 七 参考资料： 28 一 课程设计引言 功率VDMOS是功率电力电子的主流产品之一，它兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点。VDMOS由于具有开关速度快、高输入阻抗、热稳定性好、具备良好的电流自调节能力、具有负的温度系数等优点，所以作为一种理想的功率器件在各种功率开关应用中越来越引起人们的重视，其主要应用于电机调速、逆变器、不间断电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和