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本公开提供了一种提高外延片波长均匀性的石墨基板，属于半导体技术领域。所述石墨基板包括多个子基板和连接轴，所述多个子基板呈环形间隔连接在所述连接轴的外周壁上，且所述多个子基板呈涡轮扇叶状布置，每个所述子基板的上表面均具有用于容纳衬底的至少一个凹槽，所述多个子基板上的多个凹槽呈多圈环形布置。在本公开提供的石墨基板上生长外延片，可以改善在石墨基板各凹槽内生长的外延片的波长均匀性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113690172 A
(43)申请公布日 2021.11.23
(21)申请号 202110739044.6 C30B 25/12 (2006.01)
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