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本发明公开了一种HEMT与阵列LED单片集成芯片，包括HEMT区域及LED区域，HEMT区域包括高阻衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层及HEMT电极层；LED区域包括至少两个阵列设置的LED单元及第一金属连接桥，第一金属连接桥的两端分别用于连接相邻的LED单元的N电极与P电极，以实现各LED单元的串联；HEMT区域的源电极通过第二金属连接桥与串联设置的首个LED单元的P电极相连，以实现HEMT区域与LED区域的电学导通。本发明简化驱动电路，并进一步地提升了集成芯片的驱动电压和光输
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113690266 A
(43)申请公布日 2021.11.23
(21)申请号 202110726622.2
(22)申请日 2021.06.29
(71)申请人 河源市众拓光电科技有限公司
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