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一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底,所述基底上具有第一介质层,所述第一介质层内具有第一导电层,且所述第一介质层表面暴露出所述第一导电层顶部表面;在所述第一介质层表面形成牺牲结构,所述牺牲结构内具有暴露出所述第一导电层顶部表面的开口,且所述开口的顶部在基底表面上的投影图形,位于所述开口的底部在基底表面上的投影图形内;在所述开口内的第一导电层顶部表面、以及牺牲结构顶部表面形成初始磁隧道结;去除所述牺牲结构顶部表面的初始磁隧道结,在所述第一导电层顶部表面形成磁隧道结。所述方法提高了形成的半导体结
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113707805 A
(43)申请公布日
2021.11.26
(21)申请号 20201
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