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- 2023-06-30 发布于四川
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本发明公开了一种用于提高晶体硅太阳电池性能的氧化硅/宽带隙多晶硅合金钝化接触结构及其在线连续制备方法。该钝化接触结构包括一层具有钝化功能的超薄隧穿氧化硅层，以及具有场钝化功能的宽带隙多晶硅合金层。其具体制备过程为：1）将完成清洗制绒、前面硼扩散、后面抛光后的样品放入PECVD腔室中，仅仅通入含氧气体，进行等离子体在线氧化制备超薄隧穿氧化硅层；2）通入相应的气体，进行掺杂型非晶硅合金层的沉积；3）将样品放入退火炉中进行退火得到氧化硅/宽带隙多晶硅合金钝化接触结构。本发明公开的氧化硅/宽带隙多晶硅合
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113690327 A
(43)申请公布日 2021.11.23
(21)申请号 202111073966.4
(22)申请日 2021.09.14
(71)申请人 南开大学
地址 30
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