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一种三维层状TATB介晶及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-01 发布于四川
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一种三维层状TATB介晶及其制备方法.pdf

    本发明涉及一种三维层状TATB介晶及其制备方法。介晶是由多个片状晶体层状堆积而成，介晶的粒度范围为50μm～90μm。三维层状TATB介晶制备方法包括以下步骤：(1)初级片状纳米TATB颗粒的制备，将TATB加入到含添加剂的良溶剂中，60℃～130℃完全溶解，得到TATB饱和溶液，然后将所述饱和溶液在快速搅拌下降至室温，得到含初级片状纳米TATB颗粒的悬浮液。(2)初级片状纳米TATB颗粒的定向附着(OrientedAttachment)，将所述含初级片状纳米TATB颗粒的悬浮液在室温下慢速搅

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116356425 A (43)申请公布日 2023.06.30 (21)申请号 202310242415.9 B82Y 40/00 (2011.01)

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