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一种共源共栅型氮化镓器件及其制备方法、芯片.pdfVIP

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  • 2023-07-01 发布于四川
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一种共源共栅型氮化镓器件及其制备方法、芯片.pdf

    本申请属于半导体技术领域，提供了一种共源共栅型氮化镓器件及其制备方法、芯片，通过在P型半导体衬底上形成第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、P型重掺杂区、源极金属层、接触金属层、隔离层以及第一栅极金属层，进而形成MOS器件，由接触金属层、漏极金属层、漂移层、势垒层、盖帽层以及第二栅极金属层形成HEMT器件，在源极金属层和第二栅极金属层之间形成快恢复二极管，由隔离层隔离PN结与MOS器件的有源区，在快恢复二极管与隔离层之间形成用于链接源极金属层和第二栅极金属层的栅极电阻，从而将HEMT的驱动回路的开

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116364717 A (43)申请公布日 2023.06.30 (21)申请号 202310209790.3 (22)申请日 2023.03.06 (71)申请人 天狼芯半导体（成都）有限公司 地址

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