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材料的填充方法、半导体结构和3D NAND存储器.pdfVIP

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  • 2023-07-02 发布于四川
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材料的填充方法、半导体结构和3D NAND存储器.pdf

    本申请提供了一种材料的填充方法、半导体结构和3DNAND存储器。该填充方法包括：提供具有预定结构的基底，预定结构为包括弯曲部的孔或者凹槽；对预定结构进行处理，以减小预定材料在预定结构的顶部和底部的生长速率差异；在处理后的预定结构中填充预定材料，形成剩余预定结构，剩余预定结构为未填充有预定材料的预定结构；对剩余预定结构的表面进行处理，以减小剩余预定结构的表面的粗糙度；在处理后的剩余预定结构中填充预定材料，直到充满为止。通过对剩余的孔或凹槽的表面进行处理，从而减小了预定材料沉积时的晶粒大小，进而减

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113725149 A (43)申请公布日 2021.11.30 (21)申请号 202111006210.8 H01L 27/11578 (2017.01) (22)申请日

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