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- 2023-07-02 发布于四川
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本发明提供了用于降低存储器设备中的选择栅极晶体管的阈值电压的降档的技术。由于NAND串中的电场，空穴可在电荷俘获层中从虚设存储器单元向选择栅极晶体管移动并且与所述晶体管中的电子结合，从而降低所述阈值电压。在一种方法中，通过在斜降所述选择栅极晶体管的电压之前斜降所述虚设存储器单元的电压来在感测操作结束时降低所述电场。选定存储器单元的电压的斜降可在斜降所述虚设存储器单元的所述电压之后并且在斜降所述选择栅极晶体管的所述电压之前发生。另一个选项涉及在所述选择栅极晶体管的所述电压斜降之前升高所述选择栅极晶
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111133517 A
(43)申请公布日
2020.05.08
(21)申请号 20188
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