一种1T-MoS2 QDs@UiO-66复合光催化剂的制备方法及光催化性能研究.pdfVIP

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2023-07-02 发布于四川
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一种1T-MoS2 QDs@UiO-66复合光催化剂的制备方法及光催化性能研究.pdf

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本发明涉及一种UiO‑66复合光催化剂的制备方法及其应用。先通过水热法合成1T‑MoS2量子点；采用原位合成的方法在合成UiO‑66时，加入1T‑MoS2量子点，使量子点附着在UiO‑66表面，形成1T‑MoS2QDs@UiO‑66复合光催化剂。在光催化反应时，1T‑MoS2QDs负载的UiO‑66复合光催化剂对光生电子‑空穴的分离起到了很强的促进作用，此外MoS2量子点能够暴露更多的活性位点，从而提高UiO‑66的光催化产氢效率。本发明1T‑MoS2量子点负载的UiO‑66复合光催化剂制备

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113713832 A (43)申请公布日 2021.11.30 (21)申请号 202111035724.6 (22)申请日 2021.09.06 (71)申请人长