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本发明提供一种先切SDBFinFET的制造方法，在基底上形成沿纵向间隔排列的多个Fin结构，Fin结构上形成有SiN层；沉积薄型氧化层；沉积介质层之后退火；研磨露出SiN层上表面；在SiN层上形成SDB光刻胶图形；沿SDB光刻胶图形刻蚀SiN层及Fin结构，形成SDB凹槽；在SDB凹槽的底部形成氧化层；在SDB凹槽的中部形成SiN；在SDB凹槽顶部形成SiC；去除SiN层使Fin结构上表面暴露，并使SiC暴露；在Fin结构上及SDB凹槽上形成沿横向间隔排列的多个伪栅极；在SDB凹槽一侧相邻两个
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113782435 A
(43)申请公布日 2021.12.10
(21)申请号 202110924952.2
(22)申请日 2021.08.12
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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