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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明涉及一种基带RF一体化集成结构及集成方法。其包括基带芯片逻辑器件和射频器件;基带芯片逻辑器件采用FinFET结构;射频器件采用平面场效应晶体管;射频器件集成于基带芯片的上方,并且通过层间介质隔离;层间介质中设有通孔,使射频器件与基带芯片逻辑器件互连。集成方法包括:提供具有FinFET结构的基带芯片逻辑器件;在基带芯片逻辑器件上方形成层间介质层;形成半导体层;制作平面场效应晶体管,形成射频器件;刻蚀通孔,填充、金属化,使器件互连。本发明采用单片三维工艺集成,二者的物理距离大大缩短,提高了信号
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113809070 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202110918277.2
(22)申请日 2021.08.11
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
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