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一种埋入式三维堆叠的晶圆级扇出封装结构及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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一种埋入式三维堆叠的晶圆级扇出封装结构及其制造方法.pdf

    本发明公开了一种埋入式三维堆叠的晶圆级扇出封装结构及其制造方法，属于半导体芯片封装技术领域。其构造了带有TSV通孔的桥接芯片结构，其从上而下分布的导电结构包括：金属柱Ⅰ(113)、金属层Ⅰ(112)、金属导电柱(109)、金属层Ⅱ(117)、金属柱Ⅱ(118)和栅极阵列焊球Ⅰ(119)，使得电信号能够同时实现第一再布线金属层(203)与第二再布线金属层(209)的电性连接，利用第二再布线金属层(209)、第一再布线金属层(203)以及带有TSV通孔的桥接芯片(122)代替传统的TSV方法实现了芯

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809028 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202111188215.7 H01L 21/60 (2006.01) (22)申请日 2

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