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一种基于Mg离子掺杂非晶Y2O3薄膜的高存储窗口忆阻器及其制备方法和应用.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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一种基于Mg离子掺杂非晶Y2O3薄膜的高存储窗口忆阻器及其制备方法和应用.pdf

    本发明公开了一种基于Mg离子掺杂非晶Y2O3薄膜的高存储窗口忆阻器及其制备方法和应用，属于非易失性存储器领域。该高存储窗口忆阻器的制备步骤如下：在合适的非导电衬底上沉积金属导电薄膜作为高存储窗口忆阻器的下电极；采用溅射方式在下电极上沉积Mg离子和非晶Y2O3薄膜，形成Mg离子掺杂Mg:Y2O3薄膜，作为高存储窗口忆阻器的存储层；在存储层上沉积金属导电薄膜作为高存储窗口忆阻器的上电极，得到基于Mg离子掺杂非晶Y2O3薄膜的高存储窗口忆阻器，具有结构简单，制备方法可控，经济且环保，通过控制Mg离子对

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116390636 A (43)申请公布日 2023.07.04 (21)申请号 202310299222.7 (22)申请日 2023.03.24 (71)申请人 陕西科技大学 地址 7

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