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单晶铜生长工艺.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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单晶铜生长工艺.pdf

    本发明公开的属于单晶铜生产技术领域，具体为单晶铜生长工艺，该单晶铜的具体制备方法步骤流程如下：升温：取多晶铜4‑6份，将4‑6份多晶铜通过压制工具进行压制，将压制后的多晶铜放置于坩埚的内部，将装有多晶铜的坩埚放于高温下降炉的内部，对高温下降炉持续升温，直至高温下降炉的温度升至1150‑1350摄氏度，然后对高温下降炉的内部进行抽真空处理，直至0.001‑0.002Pa；保温：当温度达到1150‑1350摄氏度的范围内，向高温下降炉的内部冲入惰性保护气体，该单晶铜的具体生产方法，在保温的过程中通过

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113802176 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202110882046.0 (22)申请日 2021.08.02 (71)申请人 江苏布里其曼科技股份有限公司

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