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本发明实施例提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上的第一掩膜层，所述第一掩膜层具有多个分立的第一掩膜图案；位于所述第一掩膜层上的第二掩膜层，所述第二掩膜层具有第二掩膜图案，且所述第二掩膜图案的至少部分侧壁位于所述第一掩膜图案的顶部。本发明有利于提高光刻工艺的对准精度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113809047 A
(43)申请公布日
2021.12.17
(21)申请号 20201
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