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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明公开了一种刻蚀方法，属于半导体制造技术领域。本发明刻蚀方法用于将掩模上的图案通过干法刻蚀转移至III‑V族半导体材料层；所述掩模是由下层的介质掩模和上层的光刻胶掩模复合而成的双层复合掩模；通过所述介质掩模的厚度和/或干法刻蚀功率对刻蚀侧壁的倾角进行控制，其中，介质掩模的厚度与刻蚀侧壁的倾角成正相关，干法刻蚀功率与刻蚀侧壁的倾角成负相关。本发明还公开了一种半导体器件制造方法及一种半导体器件。相比现有技术，本发明可实现对III‑V族半导体材料刻蚀侧壁的倾角进行较大范围的连续调整，且工艺简单，实
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113808936 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202111071847.5 H01L 29/207 (2006.01)
(22)申请日
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