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半导体器件及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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半导体器件及其形成方法.pdf

    本发明提供一种半导体器件及其形成方法，该形成方法包括提供衬底，衬底上形成有介质层；在介质层中形成开口，在开口内形成具有混合取向的铜籽晶层，并利用混合取向的铜籽晶层形成具有择优取向的铜籽晶层；在择优取向的铜籽晶层上形成填充开口的铜孪晶层，以在开口中形成铜互连结构。本发明在通过在开口内利用混合取向的铜籽晶层预先形成具有择优取向的铜籽晶层，之后再在具有择优取向的铜籽层形成铜孪晶层，从而达到定向填充的目的，避免了互连结构中空洞及过渡层大量的形成，并且由于铜孪晶层自身具有的良好机械性能和导电性，互连结构的

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809001 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202111034422.7 (22)申请日 2021.09.03 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司

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