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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明涉及一种氮化硅宽带光开关,包括第一3dB非对称绝热耦合器、第二3dB非对称绝热耦合器、干涉臂波导、参考臂波导和热移相器;第一3dB非对称绝热耦合器和第二3dB非对称绝热耦合器结构相同,均包括依次连接的第一波导部分、耦合区域部分和第二波导部分,第一3dB非对称绝热耦合器的第二波导部分的第一端通过干涉臂波导与第二3dB非对称绝热耦合器的第二波导部分的第二端相连,第一3dB非对称绝热耦合器的第二波导部分的第二端通过参考臂波导与第二3dB非对称绝热耦合器的第二波导部分的第一端相连;干涉臂波导和参考
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113805398 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202111071403.1
(22)申请日 2021.09.14
(71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术
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