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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明涉及式I化合物R1‑(A1‑Z1)r‑B1‑ZL‑A2‑(Z3‑A3)s‑G(I)，其中出现的基团和参数具有权利要求1中所给的含义，本发明涉及其用于形成分子层，特别是自组装单层的用途，涉及制作用于包括所述分子层的忆阻器件的切换元件的方法，以及涉及包括所述切换元件的忆阻器件。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113812003 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202080034805.1 (74)专利代理机构 北京市中咨律师事务所
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