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本发明涉及磁场探测领域，具体提供了一种磁致伸缩磁场探测装置，凹槽设置在基底的表面，磁致伸缩材料部置于凹槽内的中部，二维过渡金属硫属化合物层置于基底和凹槽上，二维过渡金属硫属化合物层覆盖凹槽，第一电极和第二电极分别置于二维过渡金属硫属化合物层上凹槽的两侧，施力部置于的二维过渡金属硫属化合物层上磁致伸缩材料部的顶部。应用时，将本发明置于待测空间的磁场内，通过第一电极和第二电极测量二维过渡金属硫属化合物层导电特性的变化，实现待测磁场探测。本发明能够实现高灵敏度和高精度的磁场探测，在磁场探测领域具有良好
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113805116 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202111009450.3
(22)申请日 2021.08.31
(71)申请人 彭彦莉
地址 726
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