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垂直腔面发射激光器制备方法及垂直腔面发射激光器.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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垂直腔面发射激光器制备方法及垂直腔面发射激光器.pdf

    本发明公开了一种垂直腔面发射激光器制备方法。本发明方法包括：在衬底上的层结构中蚀刻沟槽以形成被所述沟槽分隔出的柱状主动区平台的步骤，以及对所述柱状主动区平台进行侧壁氧化以在所述柱状主动区平台内形成氧化孔的步骤；所述沟槽为非闭合沟槽，所述柱状主动区平台与沟槽外的层结构之间具有至少一处连接部；所形成氧化孔的横截面形状呈边缘为平滑曲线的非圆形。本发明还公开一种垂直腔面发射激光器。相比现有技术，本发明可以极低的成本和代价同时实现垂直腔面发射激光器高速传输性能和可靠性的大幅提高。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809636 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202111071932.1 (22)申请日 2021.09.14 (71)申请人 苏州长瑞光电有限公司

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