1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种存储器的制作方法、电路以及其应用.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约9千字
  • 约 9页
  • 2023-07-05 发布于四川
  • 举报

一种存储器的制作方法、电路以及其应用.pdf

    本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种存储器的制作方法、电路以及其应用，所述方法包括以制作完成多晶硅层、栅极多晶硅层、多晶硅侧壁、金属硅化物以及对应的器件的离子注入工艺的存储器晶圆为基础，在位于栅极多晶硅层和金属硅化物层间的接触孔的侧壁上设置侧壁保护层，本发明有效地增加控制栅极多晶硅层与钨接触孔的击穿电压，同时对二氧化硅材质的中间介电层中的原始缺陷产生包裹，减少了存储器在后续实际使用过程中的失效几率，从而提高了存储器的可靠性，具有切实意义上的实用价值。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809004 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202111091821.7 (22)申请日 2021.09.17 (71)申请人 恒烁半导体（合肥）股份有限公司

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >