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本申请案涉及存储器子系统中具有减少的编程干扰的短编程验证恢复。存储器装置中的控制逻辑在所述存储器装置上启动编程操作，所述编程操作包括编程阶段、编程恢复阶段、编程验证阶段和编程验证恢复阶段。所述控制逻辑进一步使负电压信号在所述编程操作的所述编程验证恢复阶段期间被施加到所述存储器装置的数据块的第一多个字线，其中所述第一多个字线中的每一个耦合到所述数据块中的存储器单元串中的第一多个存储器单元的对应存储器单元，所述第一多个字线包括与所述编程操作相关联的所选择字线以及邻近于所述所选择字线的一或多个数据字线
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113808657 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202110654996.8
(22)申请日 2021.06.11
(30)优先权数据
16/946,27
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