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- 2023-07-06 发布于四川
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本发明提供一种半导体器件、半导体器件的形成方法以及三维存储器，半导体器件的形成方法包括：提供基底，基底上形成有第一介质层；在第一介质层中形成开口；在开口的侧壁上形成第二介质层，第二介质层的介电系数大于第一介质层的介电系数；在开口中填充金属层。本发明通过在第一介质层与金属层之间增加介电系数较大的第二介质层，使得第二介质层与第一介质层复合后作为实际的绝缘隔离层，提升了绝缘隔离层的VBD和TDDB性能，从而使得半导体器件的可靠性得到提高。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113838834 A
(43)申请公布日 2021.12.24
(21)申请号 202111110706.X H01L 27/11578 (2017.01)
(22)申请日
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