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一种改善Trench-IGBT晶圆微形变的器件制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-06 发布于四川
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一种改善Trench-IGBT晶圆微形变的器件制备方法.pdf

    本发明公开了一种改善Trench‑IGBT晶圆微形变的器件制备方法，包括如下步骤：在半导体衬底上进行Ring光刻/注入/退火以及场氧氧化和光刻刻蚀，形成耐压场限环；在设计好的有源区进行Pwell注入和高温推阱，形成Pwell层，然后进行Trench光刻/刻蚀，形成Trench槽形貌；生长栅氧化层和多晶硅淀积，并经过多晶光刻和刻蚀后形成栅极；进行N+光刻/注入/退火后形成发射极；进行ILD淀积隔离栅极和发射极，通过接触孔光刻和刻蚀形成接触孔；进行METAL溅射工艺，把栅极和发射极引出；进行PAD层

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113838756 A (43)申请公布日 2021.12.24 (21)申请号 202111119357.8 (22)申请日 2021.09.24 (71)申请人 南瑞联研半导体有限责任公司

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