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- 2023-07-06 发布于四川
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本发明涉及一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统沟槽栅电荷存储型IGBT的基础上引入与发射极金属等电位的分离栅电极和P型埋层，通过电荷补偿有效消除N型电荷存储层对器件击穿特性的不利影响，同时可以减小导通压降，从而改善了正向导通压降Vceon和关断损耗Eoff之间的折中关系。本发明将栅电极和分离栅电极沿Z轴方向相间式分布且并排放置在同一个沟槽内，减小沟道密度，同时PMOS的开启使NMOS沟道提前饱和，从而减小饱和电流密度、改善短路安全工作区。还可以有效的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113838915 B
(45)授权公告日 2023.03.28
(21)申请号 202111116183.X H01L 29/423 (2006.01)
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