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一种磁控拉单晶超导磁体及磁屏蔽方法.pdfVIP

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  • 2023-07-06 发布于四川
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一种磁控拉单晶超导磁体及磁屏蔽方法.pdf

    本发明公开了一种磁控拉单晶超导磁体，包括屏蔽结构和超导线圈。屏蔽结构包括磁屏蔽铁轭上板、磁屏蔽铁轭下板和磁屏蔽铁轭筒体，磁屏蔽铁轭上板和磁屏蔽铁轭下板分别连接在磁屏蔽铁轭筒体的两端，磁屏蔽铁轭筒体为多层结构。超导线圈设置在磁屏蔽结构内部。本发明采用多层优化过的磁屏蔽结构，在节约电工纯铁的基础上，进一步降低磁体的漏磁，从而满足磁控拉单晶用超导磁体周围电气设备的安全、稳定运行。同时单层磁屏蔽结构的厚度也较小，可以降低因单层较厚电工纯铁磁屏蔽结构造成的磁屏蔽与超导线圈之间的电磁作用力过大，诱发的磁体运

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113838626 A (43)申请公布日 2021.12.24 (21)申请号 202111109028.5 H01F 41/00 (2006.01) (22)申请日 2

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