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一种边缘耦合器.pdfVIP

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  • 2023-07-06 发布于四川
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一种边缘耦合器.pdf

    本发明公开了一种边缘耦合器，自下而上包括：衬底层、埋氧层、倒锥形结构波导以及包覆所述倒锥形结构波导的包层；在所述包层之上还设置有用于将光场模式向上提拉的光场分布控制结构，所述光场分布控制结构包括自下而上的若干个复合层结构，每个复合层结构均由一个高折射率材料层和包覆所述高折射率材料层的包层材料构成，各复合层结构中的高折射率材料层的一端均与所述倒锥形结构波导的窄端平齐，且各复合层结构中的高折射率材料层沿所述倒锥形结构波导中光信号传输方向的长度自下而上逐层减小。相比现有技术，本发明可有效解决模式泄漏至

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113835156 A (43)申请公布日 2021.12.24 (21)申请号 202111114240.0 (22)申请日 2021.09.23 (71)申请人 南京航空航天大学 地址

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