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- 2023-07-07 发布于四川
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一种半导体存储器件包括：第一导线，布置在衬底上并在第一方向上平行地延伸，第一导线中的每一个包括彼此相对的第一端部和第二端部，第一方向平行于衬底的顶表面；第一选择晶体管，分别连接到第一导线的第一端部；以及第二选择晶体管，分别连接到所述第一导线的第二端部。第一选择晶体管中的每一个可以包括第一栅极宽度。所述第二选择晶体管中的每一个可以具有小于第一栅极宽度的第二栅极宽度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113871411 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202110658222.2
(22)申请日 2021.06.11
(30)优先权数据
10-2020-0
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