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半导体装置、高电子迁移率晶体管以及用于制造其的方法.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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半导体装置、高电子迁移率晶体管以及用于制造其的方法.pdf

    一种半导体装置和用于制造这种半导体装置的方法，特别是具有用于阻挡电子泄漏且提高阈值电压的后势垒层的高电子迁移率晶体管(HEMT)。在一个实施例中，一种半导体装置包含：氮化镓(GaN)层；在氮化镓层上方的前势垒层；在前势垒层上方形成的源电极、漏电极以及栅电极；在氮化镓层与前势垒层之间的第一界面处的氮化镓层中的2维电子气(2‑DEG)；以及在氮化镓层中的后势垒层，其中后势垒层包括氮化铝(AlN)。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113871449 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202110260030.6 H01L 29/778 (2006.01)

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