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- 2023-07-07 发布于四川
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一种半导体结构的制作方法，方法包括：提供衬底和鳍部，鳍部沿第一方向延伸并沿第二方向平行排列，衬底包括多个器件单元区域，器件单元区域沿第一方向包括第一区域和第二区域；形成横跨鳍部的伪栅层以及位于伪栅层侧壁的侧墙；去除第一区域和第二区域交界处的伪栅层，在侧墙间形成第一开口；对第一开口在第一方向的侧壁进行氧化处理；在第一开口中形成第一隔离结构；去除剩余伪栅层，在剩余伪栅层位置处形成金属栅极结构；去除器件单元区域交界处的金属栅极结构和鳍部。本发明通过氧化处理，降低在侧墙中形成泄露通道的概率，去除器件单元
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113871352 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202010615710.0
(22)申请日 2020.06.30
(71)申请人 中芯国际集成电路制造（上海）有限
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