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- 2023-07-07 发布于四川
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公开了具有自对准本体注入的横向晶体管。描述了制造横向晶体管的方法。方法包括提供半导体衬底。在半导体衬底上形成电介质层。在电介质层上形成栅极层。在栅极层上施加光致抗蚀剂层。通过平版印刷对光致抗蚀剂层进行开口以在光致抗蚀剂层中形成第一开口尺寸的第一开口。将第一开口转换成第二开口尺寸的第二开口，第二开口被形成在光致抗蚀剂层中或者被形成在辅助层中。通过掺杂剂注入在半导体衬底中形成本体区。进一步地，结构化栅极层以形成栅极边缘。在结构化的栅极层和本体区之间的重叠是通过第一开口尺寸和第二开口尺寸之间的偏移来控
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113871301 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202110733821.6
(22)申请日 2021.06.30
(30)优先权数据
102020117
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