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- 2023-07-07 发布于四川
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公开了具有牺牲柱的半导体装置组合件和制造牺牲柱的方法。在一个实施例中,半导体裸片的区可经识别为包含未连接到所述半导体裸片的结合衬垫的牺牲柱,以及连接到所述结合衬垫的活跃导电柱。具有所述牺牲柱的所述区当接近所述活跃导电柱安置时可防止所述活跃导电柱的面积密度经历突变,所述突变可导致所述活跃导电柱的高度的不可容许的变化。因此,通过减少所述活跃导电柱的所述高度的变化,所述牺牲柱可改善所述活跃导电柱的共面性。随后,可从所述半导体裸片移除所述牺牲柱。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113871312 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202110724289.1
(22)申请日 2021.06.29
(30)优先权数据
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