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半导体结构.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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半导体结构.pdf

    本发明提供一种半导体结构，包括：基底；通道层，位于基底上；阻障层，位于通道层上；源极结构及漏极结构，位于阻障层的两侧；掺杂化合物半导体层，位于阻障层上，掺杂化合物半导体层具有邻近源极结构的第一侧边、邻近漏极结构的第二侧边、以及至少一开口，此至少一开口露出阻障层的至少一部分；介电层，位于掺杂化合物半导体层及阻障层上；以与门极结构，位于掺杂化合物半导体层上。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113871474 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202010608780.3 (22)申请日 2020.06.30 (71)申请人 世界先进积体电路股份有限公司

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