一种半导体器件的制造方法以及半导体器件.pdfVIP

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2023-07-08 发布于四川
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一种半导体器件的制造方法以及半导体器件.pdf

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本申请提供一种半导体器件的制造方法以及半导体器件，该方法包括：提供半导体衬底，其中，半导体衬底包括有源器件区域和隔离有源器件区域的隔离结构，有源器件区域包括第一类型掺杂区；在半导体衬底暴露出第一类型掺杂区的第一表面形成氧化层；对氧化层进行图案化处理以形成图案化氧化层，其中，图案化氧化层包括具有多阶台阶的阶梯状结构，图案化处理包括一次光罩制程；在第一类型掺杂区中形成第二类型掺杂区，并在图案化氧化层上形成栅极。具体的，本申请提供的制造方法，制备多阶台阶状的图案化氧化层通过一次光罩制程形成，减少了工艺

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116403892 A (43)申请公布日 2023.07.07 (21)申请号 202310325135.4 (22)申请日 2023.03.29 (71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司地址