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本发明公开了一种肖特基二极管及其制造方法，所述二极管包括：衬底；制作于所述衬底一侧的外延层；制作于所述外延层一侧的P型保护环；制作于所述外延层一侧的氧化层，从器件边缘延伸到引线窗口边缘位置；制作于所述引线窗口一侧的势垒金属；制作于所述氧化层和势垒金属上的多层金属结构一，从P型保护环外侧向内侧覆盖；制作于所述多层金属结构一外侧的多层金属结构二，从多层金属结构一外层向内侧覆盖，中心区域露出多层金属结构一窗口；制作于所述多层金属结构二外侧钝化薄膜，从多层金属结构二外层向内覆盖，止于向内侧100um距离
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113871467 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202111141900.4 H01L 21/44 (2006.01)
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