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形成半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件的方法.pdfVIP

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  • 2023-07-08 发布于四川
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形成半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件的方法.pdf

    本公开涉及一种半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件，其包括：N型氮化镓层；P型氮化镓层；以及单量子阱有源层，位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间，所述单量子阱材料为InxGayN1‑x‑y，所述x值为0.1‑0.2之间，其厚度为

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 109346578 A (43)申请公布日 2019.02.15 (21)申请号 20181

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