三维相变存储器及其制造方法.pdfVIP

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2023-07-08 发布于四川
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三维相变存储器及其制造方法.pdf

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本发明提供一种三维相变存储器及其制造方法，其通过相应的布线工艺来制造每层相变存储单元所需的字线和位线，且在形成第一布线之后且在形成第二布线之前，完成相变存储单元的制造，且使得字线和位线分别与相应的触点与相变存储单元的相应电极电性连接，能够使得相变存储单元的形状和尺寸不再完全依赖于字线和位线交叉点处的重叠情况，有利于实现更小的器件尺寸和更高的存储密度，改善字线和位线引入的寄生效应，降低相变存储器的编程电流和电源要求。且当分别采用相应的单次曝光技术来制作位线、相变存储单元和字线时，能够避免现有技术中

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113871414 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202111263727.5 (22)申请日 2021.10.27 (71)申请人长江先进存储产业创新中心有限责