新疆大学《电路》课件-第8章半导体器件.pptVIP

【例3】二极管的钳位作用 下图中，已知VA=3V， VB=0V， DA 、DB为锗管，求输出端Y的电位，并说明每个二极管的作用。 解： DA优先导通，则 VY=3–0.3=2.7V DA导通后，DB因反偏而截止，起隔离作用，DA起钳位作用，将Y端的电位钳制在+2.7V。 DA –12V Y A B DB R 2.7V 3V 0V D为理想二极管，E= 3V，ui = 6 sin? t V，试画出 uo及uD的波形 ? 2? ui?3V时，D截止， IR = 0 ， uO= ui uD = uO–3V ui3V时，D导通， uD= 0 ， uO=3V ui / V ? t 6 3 0 ? 2? 解： ? t 3 0 –6 uo / V ? t 0 –9 uD / V –3 D E 3V R ui uo uR uD IR 【例4】二极管的限幅作用 1、特点 稳压管实质上是一种特殊的面接触型半导体硅二极管。它工作于反向击穿区，在一定的电流范围内，端电压几乎不变，所以这段特性可以用来稳压，因而广泛用于稳压电源与限幅电路。 §8–3 特殊二极管一、稳压二极管 2、 稳压管的伏安特性 IZ/mA UZ/V 0 正向特性 击穿特性 UZ IZmin IZmax 伏安特性 DZ 正极 负极 符号 D1 D2 UZ rd 等效电路 反向特性 3、 稳压管的主要参数 1.稳定电压UZ： 是在规定电流下稳压管的反向击穿电压。UZ具有一定的离散性。 2. 稳定电流 IZ： 保证管子进入反向击穿区的电流。IZ=IZmin~ IZmax只要不超过管子的额定功率，电流愈大，稳压效果愈好。 ?IZ ?UZ IZ/mA UZ/V 0 UZ IZmin IZmax 4. 动态电阻 rZ：rZ= ? IZ ?UZ 3.最大允许耗散功率PZM：PZM=UZIZmax 通过上式可求出Izmax。稳压管的功耗超过PZM时， 会因结温升高而烧坏。 由上式可看出，rZ愈小，管子的稳压性能愈好。 5.电压温度系数 ?： ?= ?UZ ? T 4、稳压管稳压电路 （1）电路结构 关于电路组成的说明： （2）稳压原理 Ui?或RL ??Uo ? (UZ ?)?IZ ? ?IR ? ?UR ? Uo R Ui IL IZ DZ RL IR Uz + ? （1）DZ与RL并联 （2）DZ反偏 （3）Ui Uz （4）合适的R 二、其他特殊二极管* 1、双向稳压管 2、恒流二极管 3、触发二极管 4、肖特基二极管 5、快恢复二极管 超快恢复二极管 6、瞬态吸收二极管 7、发光/光电二极管 8、红外二极管（收/发） 9、激光二极管（收/发） 10、变容二极管 §8–4 双极型晶体管（三极管）一、基本结构与分类 按结构划分 NPN型 按材料划分 硅管 按功率划分 大功率管 按频率划分 高频管 按用途划分 放大管 PNP型 锗管 小功率管 低频管 开关管 1、NPN 型三极管 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极C 基极B 发射极E N N P （2）符号 E C B T （1）结构 2、PNP 型三极管 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 　 集电极C 发射极E 基极B N N P P N C B E T （1）结构 （2）符号 E C B T 3、三极管内部结构特点 （1）基区很薄（几?m~几十? m）且载流子浓度很低，形成 两个靠得很近的PN结——以利于电子的渡越 （2）发射区掺杂浓度很高——以利于发射电子 （3）集电结的面积很大——以利于收集电子 结构图 N N P c e b 二、三极管的工作状态 以NPN管共发射极接法为例， 来说明电流放大的概念。 （1）电流放大的概念 VCC RC IC UCE C E B UBE 输出 回路 输入 回路 公共端 VBB RB IB IE T ——共射连接 1、放大状态 要求：VCCVBB * 内容提要 半导体器件是组成各种电子电路——包括模拟电路和数字电路，集成电路和分立元件电路的基础。本章首先介绍半导体的特性，半导体中载流子的运动，阐明PN结的单向导电性，然后介绍半导体二极管、稳压管、半导体三极管及场效应管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数。 第8章 半导体器件 掌握器件要领10字令： 功能、结构、原理、曲线、参数 新疆大学《电路》 半导体的特性 导电能力介于导体和绝缘体之间